3月20日中午，有媒體報道稱，今年底，長江存儲晶圓產(chǎn)能將從目前每月約2萬片(64層)，提升至5萬-10萬片;與此同時，其128層晶圓將于年底取得突破。
隨后，觀察者網(wǎng)向長江存儲方面求證，對方就上述事項回應(yīng)：此前已披露產(chǎn)能計劃，上述消息并非最新。另外，128層晶圓的具體量產(chǎn)時間目前未對外公布。
事實上，觀察者網(wǎng)早在1月15日就已報道，長江存儲副董事長楊道虹表示，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬片，并按期(二期)建成30萬片/月產(chǎn)能，提升國家存儲器基地的規(guī)模效應(yīng)。
楊道虹指出，國家存儲器基地近年來堅持研究布局新型存儲器、特種存儲器、物聯(lián)網(wǎng)芯片(5G芯片)以及智能芯片產(chǎn)品的研發(fā)，增強核心競爭力。此外，還聯(lián)合國內(nèi)70余家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和科研院所，牽頭組建半導(dǎo)體三維集成制造創(chuàng)新中心，成立中國半導(dǎo)體三維集成制造產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。
2019年第四季度全球NAND閃存市場營收數(shù)據(jù) 三星、鎧俠、美光、海力士等國外廠商占據(jù)份額超99%
2017年1月，國家存儲器基地項目在武漢開工，總投資1600億。該項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)，長江存儲為項目實施主體。
同一年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。
2019年9月2日，長江存儲宣布，其已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求，這也是中國首款64層3D NAND閃存。
長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華當(dāng)時表示：“通過將Xtacking?架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展。”
長江存儲成立于2016年7月，是我國核心半導(dǎo)體制造企業(yè)紫光集團旗下公司，也是中國高端芯片聯(lián)盟發(fā)起單位之一，主要業(yè)務(wù)為3D NAND閃存設(shè)計制造等。
