12月27日消息 據(jù)集 @集微網(wǎng)官方微博消息，我國(guó)首臺(tái)新一代大尺寸集成電路單晶硅生長(zhǎng)設(shè)備在西安實(shí)現(xiàn)一次試產(chǎn)成功。這是由西安理工大學(xué)和西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司共同研制的。本次制成的單晶硅棒長(zhǎng)度為 2.1 米，直徑達(dá) 300mm，也就是 12 英寸，標(biāo)志著我國(guó)芯片制造領(lǐng)域中，12 英寸硅晶圓關(guān)鍵技術(shù)得到突破，解決了 “卡脖子”難題。
根據(jù)科技日?qǐng)?bào)報(bào)道，該項(xiàng)目研發(fā)由西安理工大學(xué)劉丁教授的團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)。劉丁教授在半導(dǎo)體硅單晶生長(zhǎng)領(lǐng)域精耕細(xì)作多年，先后主持承擔(dān)了多個(gè)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等，近年來(lái)取得了技術(shù)突破，獲得了一批標(biāo)志性成果。
根據(jù)奕斯偉的介紹，硅單晶棒的制作首先需要將高純多晶硅放入石英坩堝，加熱至 1400℃以上，融化成硅溶液，再把籽晶浸入硅熔液，經(jīng)過(guò)引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑生長(zhǎng)、收尾等步驟，完成一根單晶硅棒的拉制。在單晶硅棒產(chǎn)出后，將晶棒切割成 300~400 毫米長(zhǎng)的硅塊，之后采用線切割得到厚度約 1 毫米的薄片，再對(duì)其進(jìn)行拋光、清洗加工，得到高品質(zhì)的拋光片。
IT之家了解到，西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司是國(guó)內(nèi)大型單晶硅制造骨干企業(yè)，2018 年起與西安理工大學(xué)劉丁教授的團(tuán)隊(duì)合作。該公司能夠制造無(wú)位錯(cuò)、無(wú)原生缺陷、超平坦和優(yōu)良納米形貌的 12 英寸硅片，用于 28nm 以下集成電路芯片的制作。此外，公司還提供硅片加工、清洗及外延等服務(wù)。
目前，奕斯偉在西安擁有一座硅產(chǎn)業(yè)基地，分兩期進(jìn)行建設(shè)，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能 50 萬(wàn)片 / 月。本次大型單晶硅生長(zhǎng)設(shè)備的成功制作，有利于滿足我國(guó)在集成電路發(fā)展的迫切需要，擺脫受制于人的情況。
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