6月22日消息 根據(jù)長江存儲官方的消息，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期(土建)于6月20日在武漢東湖高新區(qū)開工。
據(jù)介紹，長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠。項目一期于2016年底開工建設(shè)，進展順利，32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。
在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。
據(jù)曾報道，4月份，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號： X2-6070)研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量，擁有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量。
關(guān)鍵詞： 國家存儲器基地項目二期
