三星高管表示將盡早商業化3納米GAA制程 以積極促進代工業務發展

據韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子設備解決方案(DS)業務部首席技術官 Jeong Eun-seung 宣布，作為下一代代工微制造工藝的核心，全環繞柵極(Gate-All-Around，GAA)技術將盡早實現商業化。

Jeong 在 8 月 25 日在線舉行的三星技術與職業論壇上發表主題演講時說：“我們正在領先于我們的主要競爭對手(臺積電)開發 GAA 技術，如果我們攻克這項技術，我們的代工業務將能夠進一步發展。”

該論壇是由三星電子的 DS 業務部創建的，旨在吸引全球工程師。

IT之家了解到，GAA 被認為是 3 納米工藝的一個關鍵部分，在不久的將來將被全球頂級代工企業采用。

其關鍵是將在半導體內部充當“電流開關”的晶體管的結構從 3D(FinFET)改為 4D(GAA)。

據三星電子稱，2019 年其與客戶進行的 3 納米 GAA 工藝設計套件測試顯示，GAA 技術將芯片面積削減了 45%，并將電源效率提升了 50%。

關鍵詞： 三星 3納米GAA制程 臺積電