半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體宣布，位于瑞典的工廠已經(jīng)成功制造出首批200mm(8英寸)的碳化硅(SiC)晶圓，將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。
意法半導(dǎo)體表示，這標(biāo)志著該公司面向汽車、工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃取得重要的階段成功，鞏固了在這一開創(chuàng)技術(shù)領(lǐng)域的地位，提高了電力電子芯片的輕量化和能效，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的總擁有成本。
碳化硅是一種化合物半導(dǎo)體材料，與硅材料相比，可提供更高的能效，適合電動(dòng)汽車、工業(yè)制造過程等重要的高增長(zhǎng)電力應(yīng)用領(lǐng)域。
意法半導(dǎo)體在碳化硅晶圓的研發(fā)上已經(jīng)投入了25年之久，擁有70多項(xiàng)專利，2019年還收購了Norstel，并改名為意法半導(dǎo)體碳化硅公司，獲得了碳化硅硅錠生長(zhǎng)技術(shù)開發(fā)方面的深厚積累和沉淀。
意法半導(dǎo)體表示，首批200mm碳化硅晶圓質(zhì)量上乘，影響芯片良率、晶體位錯(cuò)的缺陷非常少。
對(duì)比150mm晶圓，200mm晶圓可增加產(chǎn)能，可用面積擴(kuò)大幾乎一倍，合格芯片產(chǎn)量則增加80-90%。
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