長鑫量產首代DDR4/LPDDR4芯片使用工藝為19nm 其良率已達75%

2019年9月份，合肥長鑫量產了國內首款DDR4內存芯片，這兩年來已經在多個國產內存品牌中商用。

根據資料，合肥長鑫集成電路制造基地項目總投入超過2200億元，選址位于合肥空港經濟示范區，由長鑫12吋存儲器晶圓制造基地(以下簡稱“基地”)、空港集成電路配套產業園、空港國際小鎮三個片區組成。

截至2020年底，合肥長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目提前達到4萬片/月產能，今年3月份開始啟動6萬片/月產能建設，實現了從投產到量產再到批量銷售的關鍵跨越。

內存技術上，長鑫量產的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工藝，此前一直沒有公布具體細節，日前兆易創新在一次會議上透露長鑫的19nm工藝良率已達75%。

75%的良率在業內不算頂尖，不過考慮到長鑫生產內存不到2年時間，現在的良率表現已經不錯了，制造出來還是能保證毛利的。

此外，長鑫的第二代內存升級到了17nm工藝，具體良率沒公布，但目前會比較低，還在爬升中。

關鍵詞： DDR4 內存芯片