英諾賽科新一代33W氮化鎵快充:成功實現小體積、高功率

            發布時間:2021-04-12 08:47:51  |  來源:充電頭網  

            2021年初便有媒體報道稱蘋果將在今年推出氮化鎵快充充電器。就在近期,業界也有越來越多的聲音指出,30W GaN快充將成為蘋果入局氮化鎵快充的首款作品。

            據了解,目前業內已有多家廠商開始提前布局該條產品線。

            作為全球領先的氮化鎵IDM企業,英諾賽科也在該功率段重點發力,帶來了讓人眼前一亮的產品。

            英諾賽科發布33W氮化鎵快充

            在剛剛結束的「2021(春季)USB PD&Type-C亞洲展」上,英諾賽科副總經理陳鈺林先生為大家帶來了《Inno GaN 引領“芯”未來》主題演講,并發布了英諾賽科的2021年度重點產品:33W氮化鎵快充。

            據陳鈺林先生分析,蘋果公司目前已經在布局氮化鎵快充,30W則極有可能成為蘋果首款氮化鎵產品。

            為了迎接蘋果30W氮化鎵快充帶來的下一個市場風口,英諾賽科專門推出了InnoGaN系列第二代新品INN650DA04,并基于該新品開發出一款尺寸僅蘋果5W充電器大小的33W超迷你氮化鎵快充參考設計。

            外型小巧是該方案的一大特色,其內部電路設計更是十分精簡,通過圖片可見,該方案僅僅只用兩塊PCB板就實現了全部功能,讓人眼前一亮。并且完全實現了核心技術的自主可控,供貨穩定。

            值得一提的是,這款參考設計不僅滿足最大33W快充輸出,而且在溫升和EMI等方面也已符合安規要求,解決了快充電源廠商在產品開發過程中的兩大難點,可以幫助客戶加速產品量產,搶占市場。

            33W快充專用InnoGaN快速上量

            雖然距離蘋果2021年新品發布會還有半年之久,但其即將推出30W氮化鎵快充的消息已經不脛而走,尤其是近期在業界廣為流傳,多家快充芯片、快充變壓器、快充電源廠商及方案商紛紛表示,正在積極地著手布局30W快充產品線。

            30W氮化鎵快充更是有望在蘋果的帶動下,成為20W快充市場的繼承者,前景可觀。

            不過由于功率的提升,傳統的內置MOS電源芯片方案大都無法滿足應用需求,分立器件方案成為首選。

            但如果選用傳統的硅MOS作為主開關管需要面臨著兩大難題,一是效率較低發熱較大,無法實現緊湊的設計;二是自2020年下半年以來,受到缺貨風波的持續影響,功率半導體的價格以及供貨也變得十分不穩定。

            作為一家全球領先的氮化鎵IDM企業,英諾賽科自建有技術領先8英寸增強型硅基氮化鎵功率器件量產線,涵蓋30V到650V全電壓產品;其蘇州FaB基地也將于今年6月通線投產,滿產后將實現月產8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。

            英諾賽科第二代InnoGaN產品INN650DA04的推出,將在一定程度上緩解了快充產業鏈緊張的供求關系。此外英諾賽科對該新品采取了戰略性定價,十分具有市場競爭力。

            英諾賽科透露,INN650DA04一經推出便獲得眾多電源廠商青睞,目前累計訂單已經突破2kk,并不斷有新客戶陸續下單。

            蘋果30W氮化鎵快充一旦面世,預計該款氮化鎵器件的每月訂單量將直奔5kk,成為2021年下半年功率器件領域的現象級爆款。

            InnoGaN優勢分析

            充電頭網了解到,英諾賽科InnoGaN系列第二代新品INN650DA04具備高頻高效、極低損耗、快速主動散熱等特點,同時采用DFN5*6進行封裝,有助于電源工程師實現產品的高效率和小體積。

            效率方面,英諾賽科33W氮化鎵快充方案無論是在90ac、115Vac輸入還是230Vac、264Vac輸入,其效率均在92%以上,相比目前市面上主流的20W硅方案,效率提升3個百分點。高效率帶來的低發熱,為實現小體積、高功率密度產品設計保駕護航。

            得益于InnoGaN的高效率特性,實際應用中可以省掉散熱片,從而實現小尺寸的緊湊型氮化鎵快充方案。目前英諾賽科33W氮化鎵快充方案在體積方面已有了巨大突破,PCB尺寸僅為26mm*26mm*26mm,功率密度可達1.88W/cm?,相當于蘋果現有20W硅MOS快充方案的2倍以上。

            總結

            最近行業中流傳著這樣一句話:上半年看20W,下半年看30W。

            看似簡單的幾個字卻透露出快充電源行業的市場趨勢,不過相比20W快充而言,30W快充在小型化、溫度、安規等方面的挑戰更大,也對快充電源工程師提出了更高的要求。

            針對這一行業痛點,英諾賽科開始發力,憑借全球首條8英寸增強型硅基氮化鎵功率器件量產線及先進的研發品控分析能力,InnoGaN系列在整體性能、成本、產能等方面均得到很好的把控。

            英諾賽科InnoGaN不僅在實現高效率和小尺寸方面明顯優于傳統硅MOS方案,而且在價格方面也具有極大優勢,并有供貨穩定的特點。搭配簡潔的設計和布局,輕松實現33W迷你氮化鎵快充產品的開發,并大幅降低了系統成本與生產成本,可謂是性價比超高。

            如果說20W快充是內置MOS電源芯片的主場,那么未來的30W氮化鎵快充市場必將成為InnoGaN大顯身手的舞臺,值得期待!

            關鍵詞: 英諾賽科 快充

             

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