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東芝電子元件及存儲裝置株式會社和東芝株式會社（Toshiba Corporation，統稱 “東芝”）共同研發出全球首款4.5-kV雙柵極反向傳導注入增強型柵極晶體管（RC-IEGT）。東芝證實，其導通關斷時的總功耗（開關損耗）比傳統單柵極結構降低24%。

功率器件是供電和管理電源的組件，對于降低各種電子設備功耗和實現碳中和社會至關重要。在全球脫碳和節能的趨勢下，IEGT被廣泛用于大功率逆變器和高壓直流輸電等需要大電流、高能效，以及更低功率損耗的應用。由于在IEGT開啟時降低損耗（導通損耗）增加開關損耗，因此很難降低IEGT功耗。

東芝開發了一種4.5kV雙柵極RC-IEGT，其空穴控制柵極（CG）與主柵極（MG）分離。與單柵極器件中的反向恢復相比，這種方法通過在關斷和注入之前控制空穴提取來降低損耗。在IEGT模式下，電流從基板的背面流向正面，CG關斷之后MG關斷，減少基板中累積的空穴，降低關斷損耗。在二極管模式下，電流從基板正面流向背面，MG和CG在反向恢復之前同時導通，減少了基板中累積的電子，減少了反向恢復損耗。

新開發的雙柵極RC-IEGT結合柵極控制技術，關斷和導通損耗分別比傳統單柵極結構降低24%和18%，反向恢復損耗降低32%。因此，實際測量值中總開關損耗降低24%，而導通損耗沒有任何增加。

關鍵詞： 開關損耗