機械硬盤要想保持競爭力，除了保持價格和可靠優(yōu)勢，還要在容量、功能方面尋求突破。
第一大硬盤廠商希捷的方案是HAMR(熱輔助磁記錄)和多讀寫臂技術(shù)，號稱已經(jīng)一眼望到了100TB。
在本周舉辦的重新想象機械硬盤的活動中，西數(shù)正式宣布了業(yè)內(nèi)首款集成iNAND閃存芯片的20TB機械硬盤新品，采用了獨家的OptiNAND架構(gòu)技術(shù)。
iNAND閃存芯片并不是緩存，而是用于存儲元數(shù)據(jù)，減少鄰軌干擾的刷新時間，一方面可以提高盤片存儲密度，一方面也提升了功能。
據(jù)悉，這款20TB機械硬盤采用9碟氦氣封裝，單碟2.2TB，ePMR(能量輔助垂直磁記錄)技術(shù)。此外，還有三級讀寫臂以更加精準地執(zhí)行讀寫操作。
西數(shù)稱，OptiNAND并非混合架構(gòu)硬盤，而是一種更創(chuàng)新的體系，此前的硬盤在緊急斷電時DRAM里的緩存數(shù)據(jù)無法保存或最多2MB，而OptiNAND則提高50倍到100MB。
遺憾的是，西數(shù)并沒有給出明確的讀寫數(shù)據(jù)，但強調(diào)iNAND UFS閃存的加入，改善了突發(fā)型隨機讀寫表現(xiàn)。
