在新一代半導(dǎo)體工藝中，美國本土的廠商已經(jīng)落后于三星、臺積電，Intel最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在還是10nm。日前有消息稱三星準(zhǔn)備在美國建設(shè)5nm EUV芯片廠。
據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠，以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導(dǎo)體計劃。
該工廠將采用5nm制程，計劃于今年Q3開工，2024年投產(chǎn)，預(yù)計耗資180億美元。
這次在美國建廠也是三星電子首次在韓國之外設(shè)立EUV產(chǎn)線。
業(yè)內(nèi)估計三星將在5月21日左右就此發(fā)布正式公告。
在此之前，臺積電去年宣布，將在美國亞利桑那州建設(shè)一座芯片工廠，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶代工芯片，計劃月產(chǎn)能20000片晶圓，這一工廠計劃2021年開始建設(shè)，目標(biāo)是2024年投產(chǎn)，臺積電計劃2021年到2029年在這一工廠投資120億美元。
最新消息稱，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠，是否采用更先進(jìn)的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶代工芯片。
