三星計劃投資180億美元在美建新廠：有望在2024年量產5nm EUV芯片

在新一代半導體工藝中，美國本土的廠商已經落后于三星、臺積電，Intel最先進的工藝現在還是10nm。日前有消息稱三星準備在美國建設5nm EUV芯片廠。

據韓媒援引業內人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設立EUV半導體工廠，以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導體計劃。

該工廠將采用5nm制程，計劃于今年Q3開工，2024年投產，預計耗資180億美元。

這次在美國建廠也是三星電子首次在韓國之外設立EUV產線。

業內估計三星將在5月21日左右就此發布正式公告。

在此之前，臺積電去年宣布，將在美國亞利桑那州建設一座芯片工廠，建成之后將采用5nm工藝為相關的客戶代工芯片，計劃月產能20000片晶圓，這一工廠計劃2021年開始建設，目標是2024年投產，臺積電計劃2021年到2029年在這一工廠投資120億美元。

最新消息稱，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠，是否采用更先進的3nm制程工藝，為相關的客戶代工芯片。

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